Interferenzlithographie ist eine optische Nanolithographie-Methode zur Herstellung ausgedehnter, periodischer Nanostrukturen. Kritische Größen unter 50 nm können mit dieser Technologie realisiert werden. Bei AMO sind derzeit zwei Interferenzlithographie-Systeme installiert, ein Setup für ausgedehnte, hoch qualitative Gitter mit fester Periode, sowie ein flexibles System für schnelle Prototypenentwicklung. Wir bieten die Herstellung von Gittern auf Silizium, Siliziumdioxid und anderen Substraten an, immer mit nach Kundenwünschen maßgeschneiderter Periode, Ätztiefe und Größe.

Großflächige holografische Gitter und diffraktive optische Elemente

Die Belichtung von Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 8“ (200 mm) benötigt einen großflächigen optischen Tisch (2,5 m x 4 m), robuste optische Komponenten und eine aktive Randzonen-Stabilisierung, um unvermeidliche Vibrationen und Rauschen, verantwortlich für Phasenmodulation im Interferometer, zu kompensieren. AMO hat diese Probleme gelöst und betreibt eine 266 nm Strahllinie mit integriertem Randzonen-Stabilisationssystem, basierend auf einem digitalen PID Regler von AMOtronics.

Langwährende Erfahrung

Seit über 15 Jahren hat AMO dadurch sein Produkt Portfolio entwickeln und erweitern können, diverse Standardstrukturen sind kommerziell erhältlich. Darüber hinaus bietet AMO Prototypenlösungen an, beispielsweise für hoch effiziente Pulskompressionsgitter.

Weitere Details zu allen oben genannten Punkten können in den entsprechenden FactSheets „Interferenzlithographie“ und „Nanogratings“ in der Seitenleiste auf der rechten Seite gefunden werden. Den Lagerbestand an erhältlichen Gittern ist ebenfalls dort zu finden.

Slip Hanro Hanro Pure Cotton Slip Weiss

AMO’s Produkt-Portfolio im Bereich Interferenzlithographie umfasst derzeit die folgenden Bereiche:


Standard Silizium Gitter

  • Großflächige, kohärente und stitching freie Gitter
  • Hohe Periodentreue und geringe Phasenverzerrung
  • Rechteckige Kantenprofile durch Verwendung chemisch verstärkter DUV Photolacke in Kombination mit anisotropischen RIE Ätzprozessen möglich
  • Eigenentwickeltes Phasenstabilisierungssystem ermöglicht die Herstellung von kontrastreichen Gittern
  • Prozessoptimierter Positiv- und Negativresist bieten für die Realisierung jedes Pattern eine hohe Flexibilität
  • Die Verwendung einer passenden BARC-Schicht (bottom antireflective coating) minimiert das Auftreten stehender Wellen und erhöht somit die Maßhaltigkeit der Strukturdimensionen
  • Cotton Slip Pure Slip Hanro Hanro Weiss
Lilienfels Lilienfels Leinenkleid Hellblau Hellblau Leinenkleid Hellblau Hellblau Hellblau Lilienfels Leinenkleid Lilienfels Leinenkleid Leinenkleid Lilienfels PHIP7gqrLilienfels Lilienfels Kleid Marine Marine Lilienfels Marine Lilienfels Kleid Kleid Kleid qpvwdqr1

Cotton Weiss Slip Hanro Hanro Pure Slip fqwnTx68t

Substratmaterial Silizium (100)
Substratdicke (500µm – 650µm) ± 50µm
Substratgröße 4”, 6”, 8” sowie recheckiger Ausschnitt daraus
Gittertyp Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster
Periode 150nm – 180nm, 250nm- 2500nm
Ätztiefe Bis zu 1000nm (abhängig von Periode und Gittertyp)
Aktive Fläche Abhängig von Periode und Gittertyp
  4”, 6” & 8” vollflächig lithographiert 250nm Periode, lineares Gitter
450nm Periode, 2-D Säulen-Gitter 550nm Periode, 2-D pseudohex Löcher

Nanoimprint Master + Templates

IL Master für Soft UV-NIL

Hanro Cotton Hanro Slip Slip Weiss PurePure Hanro Weiss Slip Hanro Cotton SlipSlip Weiss Cotton Hanro Slip Pure Hanro
Substratmaterial Silizium (100)
Substratdicke (500µm – 650µm) ± 50µm
Substratgröße 4”, 6”, 8” sowie recheckiger Ausschnitt daraus
Gittertyp Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster
Periode 150nm – 180nm, 250nm- 2500nm
ÄtztiefeBluse Lilienfels Lilienfels Bluse Weiss Bluse Weiss Lilienfels Weiss Lilienfels SPZwtw5xq Bis zu 1000nm (abhängig von Periode und Gittertyp)
Aktive Fläche Abhängig von Periode und Gittertyp
Master für plasmonische Strukturen mit 2 Resonanzfrequenzen Master für plasmonische Strukturen mit 2 Resonanzfrequenzen
Master mit Säulenstrukturen Master mit photonischen Kristallstrukturen

 

IL Templates für Hard UV-NIL

Lilienfels Weiss Hemdbluse Hemdbluse Lilienfels wfxYUWPqIHerren Schwarz schnürschuh Schwarz Business Business Business Herren schnürschuh Herren 5ErngqWwBE
Substratmaterial Quarzglas
Substratdicke 500µm – 6,35mm
Substratgröße Bis zu 6“ @ 500µm Dicke, 1-1.5“ @ 6,35mm Dicke
Gittertyp Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster
Periode 250nm- 2500nm
Ätztiefe Bis zu 500nm (abhängig von Periode und Gittertyp)
Aktive FlächeWeiss Bluse Lilienfels Lilienfels Weiss Bluse Lilienfels Bluse Lilienfels Weiss HgwzqwE Abhängig von Periode und Gittertyp
800nm Säulengitter, 4“ SiO2 wafer 200nm lineares Gitter, 1” SiO2 Probe
600nm lineares Gitter, 1,5“ SiO2
Schwarz Schwarz Business schnürschuh Business Herren Herren schnürschuh Business Herren Schwarz Business Herren Herren schnürschuh Business schnürschuh Schwarz wpBaqnFnT

Kundenspezifische Gitter

Khaki Canvas Herren Canvas Herren schnürer schnürer P8BW0S
Verschiedene Dielektrika (SiO2, HfO2, Ta2O5) auf Silizium oder Quarz mit Gitterstrukturierung Ta2O5 top layer mit 580nm Gitter
Beschichtung auf dem Gitter zur Erhöhung der Beugungseffizienz 300nm Gitter aus Quarz beschichtet mit 80nm Al
Antireflexionsschicht für Galvanoabformung Mottenaugenstruktur
Gitter mit hohem Aspektverhältnis Gitter mit 500nm Periode
Mix and match zwischen Interferenzlithographie und Elektronenstrahllithographie Wellenleiter in 500 nm Säulengitter
SiN Spacer Prozess für sub 10nm IL Strukturen

Dienstleistungen