Interferenzlithographie ist eine optische Nanolithographie-Methode zur Herstellung ausgedehnter, periodischer Nanostrukturen. Kritische Größen unter 50 nm können mit dieser Technologie realisiert werden. Bei AMO sind derzeit zwei Interferenzlithographie-Systeme installiert, ein Setup für ausgedehnte, hoch qualitative Gitter mit fester Periode, sowie ein flexibles System für schnelle Prototypenentwicklung. Wir bieten die Herstellung von Gittern auf Silizium, Siliziumdioxid und anderen Substraten an, immer mit nach Kundenwünschen maßgeschneiderter Periode, Ätztiefe und Größe.

Großflächige holografische Gitter und diffraktive optische Elemente

Die Belichtung von Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 8“ (200 mm) benötigt einen großflächigen optischen Tisch (2,5 m x 4 m), robuste optische Komponenten und eine aktive Randzonen-Stabilisierung, um unvermeidliche Vibrationen und Rauschen, verantwortlich für Phasenmodulation im Interferometer, zu kompensieren. AMO hat diese Probleme gelöst und betreibt eine 266 nm Strahllinie mit integriertem Randzonen-Stabilisationssystem, basierend auf einem digitalen PID Regler von AMOtronics.

Langwährende Erfahrung

Seit über 15 Jahren hat AMO dadurch sein Produkt Portfolio entwickeln und erweitern können, diverse Standardstrukturen sind kommerziell erhältlich. Darüber hinaus bietet AMO Prototypenlösungen an, beispielsweise für hoch effiziente Pulskompressionsgitter.

Weitere Details zu allen oben genannten Punkten können in den entsprechenden FactSheets „Interferenzlithographie“ und „Nanogratings“ in der Seitenleiste auf der rechten Seite gefunden werden. Den Lagerbestand an erhältlichen Gittern ist ebenfalls dort zu finden.

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AMO’s Produkt-Portfolio im Bereich Interferenzlithographie umfasst derzeit die folgenden Bereiche:


Standard Silizium Gitter

  • Großflächige, kohärente und stitching freie Gitter
  • Hohe Periodentreue und geringe Phasenverzerrung
  • Rechteckige Kantenprofile durch Verwendung chemisch verstärkter DUV Photolacke in Kombination mit anisotropischen RIE Ätzprozessen möglich
  • Eigenentwickeltes Phasenstabilisierungssystem ermöglicht die Herstellung von kontrastreichen Gittern
  • Prozessoptimierter Positiv- und Negativresist bieten für die Realisierung jedes Pattern eine hohe Flexibilität
  • Die Verwendung einer passenden BARC-Schicht (bottom antireflective coating) minimiert das Auftreten stehender Wellen und erhöht somit die Maßhaltigkeit der Strukturdimensionen
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Substratmaterial Silizium (100)
Substratdicke (500µm – 650µm) ± 50µm
Substratgröße 4”, 6”, 8” sowie recheckiger Ausschnitt daraus
Gittertyp Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster
Periode 150nm – 180nm, 250nm- 2500nm
Ätztiefe Bis zu 1000nm (abhängig von Periode und Gittertyp)
Aktive Fläche Abhängig von Periode und Gittertyp
  4”, 6” & 8” vollflächig lithographiert 250nm Periode, lineares Gitter
450nm Periode, 2-D Säulen-Gitter 550nm Periode, 2-D pseudohex Löcher

Nanoimprint Master + Templates

IL Master für Soft UV-NIL

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Substratmaterial Silizium (100)
Substratdicke (500µm – 650µm) ± 50µm
Substratgröße 4”, 6”, 8” sowie recheckiger Ausschnitt daraus
Gittertyp Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster
Periode 150nm – 180nm, 250nm- 2500nm
ÄtztiefeTommy shirt Weiss Lenny Hilfiger T x4q4wSgYF Bis zu 1000nm (abhängig von Periode und Gittertyp)
Aktive Fläche Abhängig von Periode und Gittertyp
Master für plasmonische Strukturen mit 2 Resonanzfrequenzen Master für plasmonische Strukturen mit 2 Resonanzfrequenzen
Master mit Säulenstrukturen Master mit photonischen Kristallstrukturen

 

IL Templates für Hard UV-NIL

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Substratmaterial Quarzglas
Substratdicke 500µm – 6,35mm
Substratgröße Bis zu 6“ @ 500µm Dicke, 1-1.5“ @ 6,35mm Dicke
Gittertyp Linien, Säulen, Löcher, Moiré-Muster
Periode 250nm- 2500nm
Ätztiefe Bis zu 500nm (abhängig von Periode und Gittertyp)
Aktive FlächeSchwarz T T shirt T shirt shirt Deha Deha Schwarz Schwarz Deha Bavqw Abhängig von Periode und Gittertyp
800nm Säulengitter, 4“ SiO2 wafer 200nm lineares Gitter, 1” SiO2 Probe
600nm lineares Gitter, 1,5“ SiO2
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Kundenspezifische Gitter

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Verschiedene Dielektrika (SiO2, HfO2, Ta2O5) auf Silizium oder Quarz mit Gitterstrukturierung Ta2O5 top layer mit 580nm Gitter
Beschichtung auf dem Gitter zur Erhöhung der Beugungseffizienz 300nm Gitter aus Quarz beschichtet mit 80nm Al
Antireflexionsschicht für Galvanoabformung Mottenaugenstruktur
Gitter mit hohem Aspektverhältnis Gitter mit 500nm Periode
Mix and match zwischen Interferenzlithographie und Elektronenstrahllithographie Wellenleiter in 500 nm Säulengitter
SiN Spacer Prozess für sub 10nm IL Strukturen

Dienstleistungen


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